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GaN HEMT
GaN HEMT
GaN级联结构,兼具Si
MOS
器件易于驱动(与传统Si器件驱动兼容度高)、栅压驱动范围宽(±20V)、
栅极可靠性高等优势和GaN器件高耐压、低导通电阻、高开关速度等优势。
MOV
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0755-82500822
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[email protected]
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深圳市龙华区观盛二路捷顺中心A座1204
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