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  • TVS瞬态抑制二极管。更多

    TVS
  • 特点
    1. 结...更多

    TSS
  • 特点
    1. 结构小巧节省空间 。2. 适合表面贴...更多

    ESD
  • 封装类型齐全,超低RDS ON,雪崩能量强。更多

    MOS
  • 封装多样化,超低VF值,肖特基电压45-300V,桥堆电压4...更多

    SBR/BR

  • 1. 本体尺寸:Ф5mm ~ Ф20mm.。2...更多

    MOV
联系人:陈小姐

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